半導體設備 PM｜驗證方法
機台 PM 後可以復機了嗎？白光、UV 與黑布取樣三步驟驗證
PM 的最後一道擦拭做完，下一個問題是：怎麼確定真的擦乾淨，才敢把機台交回生產？這篇從一次公開的機台污染調查開始，把復機前的目視確認拆成三步，也講清楚它們的界線。
本篇內容
典型作業情境・依 Foamtec 與 Berkshire 公開技術文章整理・非特定客戶案件
一台量測機台出現晶圓刮傷，particle 缺陷的趨勢也在上升。工程師先用 UV 檢查 Load Port，再看 EFEM 與搬送手臂，用取樣棒把手臂末端的一根纖維帶走，送 SEM/EDX/FTIR 分析；接著檢查製程模組。清潔完成後，最後再用黑色取樣布擦一次確認：第一次擦，布面還看得到殘屑；補擦一輪後，布面才乾淨。
這是 Foamtec 在技術文章中公開的一次調查流程。故事的重點不在用了哪一支燈，而在最後一步：擦完之後，有沒有一個看得見的證據，讓人有把握把機台交回生產。
簡短回答：復機前可以分三步確認：先用白光看可見殘留，再用 UV 找會螢光的纖維與殘留，最後用乾燥的黑色取樣布，在固定面積上擦一次，看布面有沒有帶出東西。這三步能降低「沒把握就復機」的風險，但看不到次微米微粒；要不要上線，仍依你們既有的晶圓粒子測試與品質程序決定。
先說清楚：眼睛看得到的範圍到哪裡
Berkshire 把目視檢查列為最簡單的清潔驗證：擦拭後表面還有殘留，就要再擦一次。依該文說明，肉眼大約看得到大於 50 µm 的微粒；EIGA Doc 33 對明亮白光目視的描述也是 50 µm。至於次微米微粒，Berkshire 明確指出無法靠目視檢出。
所以 PM 後的正式判定，Berkshire 描述的是另一套做法：先用自動粒子計數儀量一片乾淨、未加工的晶圓，取得粒子分布與數量的基準；讓晶圓通過清潔後的機台（不做任何製程），再量一次。兩次相比，增加的粒子數低於事先設定的門檻，機台才回到線上。
本篇的三個步驟，放在晶圓測試之前：先把看得到的東西處理掉。要沿哪些模組巡檢、每個檢查點記錄什麼，半導體 Particle 巡檢已經整理，這裡只談 PM 擦拭之後的確認。
第一步：白光，先處理看得到的
Berkshire 提到，在製程設備內部用明亮光源做更嚴格的表面照明，是目視檢查很有用的輔助。EIGA 的順序也是白光在前：用明亮白光、不放大，先確認沒有看得到的污染，才進入 UV 檢查。
這一步的判斷很單純：看到殘留就重擦，不往下走。等到表面在白光下已經看不出東西，再換 UV，才不會把時間花在本來用肉眼就能處理的問題上。
第二步：UV，找會螢光的纖維與殘留
Berkshire 把 UV 光列為協助看見微粒或殘留的方法之一；在 Foamtec 的案例中，Load Port 與製程模組都做了 UV 檢查，被找到並送去分析的，是搬送手臂末端的一根纖維。
不過 UV 只看得到會螢光的東西。指紋、皮脂、矽油這類在 UV 下不發光的污染，以及該用什麼方法補上，整理在UV 照不亮，就代表乾淨嗎？。
04 第三步：黑布取樣
讓表面把東西「交出來」
Foamtec 的 PolyCHECK 取樣布與取樣棒，是超潔淨的黑色聚酯材質。擦過表面後，被吸附的微粒在黑色布面上很容易看見，用 UV 照射會更明顯。PolyCHECK 是 Foamtec 的產品，這裡只借它公開的使用說明來介紹取樣方法。
依 Foamtec 的使用說明，表面必須目視已經乾燥；濕式擦拭或潤洗後先暫停，等表面乾了再取樣。原則是乾布擦乾面：不預先沾濕，不加溶劑或水；用低角度、輕輕擦，避免太用力刷出磨耗屑。取樣布先四折一次，只用露出的那一面，在 10 × 10 cm（或 SOP 指定）的範圍內以 S 形擦拭、重疊約 30%，中途不換面。縫隙、邊緣與溝槽改用取樣棒：在約 1–4 cm² 的範圍內先平行擦 5 下，再用沒用過的面垂直交叉擦 5 下，每一下都轉到乾淨的面。擦完後，用 365 nm UV 以低角度照布面並拍照，再把沾污面折到內側，裝進無塵夾鏈袋。
取樣布要用在清潔前，還是清潔後？
Foamtec 的使用說明寫「一律在清潔前取樣」，並由乾淨區往較髒區、由上往下進行，目的是把原本的污染完整留給 SEM/EDX/FTIR 鑑定；而 Foamtec 的機台案例，則是在最後一次擦拭之後，再用取樣布確認是否擦乾淨。兩種用法目的不同，不要混在一起：
| 用途 | 什麼時候取樣 | 結果用來做什麼 |
|---|---|---|
| 鑑定污染是什麼 | 清潔前；乾淨區往較髒區、由上往下 | 每個位置分袋，送 SEM/EDX/FTIR 等分析，追查來源 |
| 確認是否擦乾淨 | 最後一次擦拭後，表面已經乾燥 | 布面還看得到殘屑就補擦一輪，再取樣確認 |
三個容易做錯的地方
表面還濕就擦
Foamtec 要求表面目視乾燥；若不得不在潮濕或黏手的表面取樣，要在標籤上註明並通知實驗室，判讀可能受限。
取樣時替布消除靜電
乾式取樣靠靜電與摩擦起電吸附微粒；Foamtec 提醒取樣時不要對取樣布或取樣棒做離子化處理，否則吸附力會下降。
把布面當成粒子計數
Foamtec 說明取樣布用於定性鑑定與相對負載、趨勢比較，不能提供每 cm² 的數量；需要數量時，要並行使用經過驗證的計數方法。
三步都過了，也還不是放行
白光、UV 與黑布取樣都屬於目視層級的確認：看不到次微米微粒，也不能用來判定機台或無塵室的潔淨等級。它們能做的，是減少帶著看得見的殘留進入晶圓粒子測試的機會；Foamtec 的說法是，降低在沒有完全把握的情況下讓機台回到生產的風險。最後要不要上線，仍依晶圓粒子測試與你們的品質程序決定。
工具上，PDL-II 同一支燈就能切換白光與 365 nm UV-A：第一步、第二步，以及取樣布的低角度 UV 觀察，可以用同一支燈完成。若要在桌上逐張檢查取樣布或小零件，可以搭配 Table Holder 固定燈具、空出雙手；規格與配件請看產品頁。
復機前檢查工位
把 PM 後的白光與 UV 檢查交給同一支燈
告訴我們機台模組、PM 後的擦拭方式，以及你們現用的取樣布或取樣棒。宇創可以用 PDL-II 示範白光與 UV-A 下的表面與布面觀察，並一起評估需不需要 Table Holder；取樣布、取樣棒等耗材若還沒有固定來源，也可以一起提出，宇創可協助尋找。
本頁情境依 Foamtec 公開技術文章所描述的機台污染調查整理，並非宇創或特定客戶案件；取樣手法依 Foamtec PolyCHECK 使用說明，晶圓粒子比對測試依 Berkshire 的說明；文中提到的 PolyCHECK 取樣布與取樣棒為 Foamtec 產品，本頁只借用其公開說明來介紹取樣方法。本頁不宣稱任何機台或無塵室潔淨等級的判定能力。PDL-II 規格以本站產品頁為準。圖片為 AI 生成情境示意。以下為本頁引用的原始資料（2026.10.24 讀取）：
- Foamtec International〈Particulate Contamination Identification in Semiconductor Applications〉：黑色聚酯取樣布與取樣棒、機台污染調查四步驟。
- Foamtec〈PolyCHECK Swabs & Wipes Instructions for Use〉：乾式取樣原則、取樣布與取樣棒手法、365 nm UV 低角度觀察、標籤與紀錄、FAQ。
- Berkshire〈Useful Methods for Positive Results in Cleanroom Cleaning Verification〉：目視可見範圍、PM 後次微米微粒需以晶圓粒子計數比對確認。
- EIGA Doc 33/18 Cleaning of Equipment for Oxygen Service：第 4.3 節擦拭布、第 8.1 節檢查方法、第 9.2 節表 4 檢出門檻（氧氣用設備清洗之產業文件）。
常見問題
PM 後復機前驗證，常見問題
PM 後用白光和 UV 看過，就可以復機嗎？
不能只靠目視決定。Berkshire 指出次微米微粒無法用目視檢出；該文描述的做法是以晶圓通過機台前後的粒子計數比對，確認增加的粒子數低於門檻後才回到線上。
黑色取樣布可以算出每 cm² 有幾顆微粒嗎？
不能。Foamtec 說明 PolyCHECK 用於定性鑑定與相對趨勢比較；需要數量時，要並行使用經過驗證的計數方法。
取樣布要先沾 IPA 再擦嗎？
不要。Foamtec 的原則是乾布擦乾面，不預先沾濕，也不加溶劑或水，以免抹開或溶解殘留，並保留微粒的形貌與成分供分析。
取樣布要怎麼用 UV 看？
依 Foamtec 說明，用手持 365 nm UV 以低角度照射取樣面，拍照留存後，再把沾污面折到內側裝袋。
取樣面積要多大？
Foamtec 建議取樣棒用於約 1–4 cm² 的目標區域，取樣布一般為 50–200 cm²；每次都要記錄面積與擦拭方式，前後結果才能比較。